可視及び近赤外自由電子レーザー励起による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御
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概要
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単層カーボンナノチューブ(SWNT)を電界効果素子のチャネル層として利用するために、半導体SWNTのカイラリティ制御を目指している。化学気相成長(CVD)法により、カーボンナノチューブ(CNT)を成長中、自由電子レーザー(FEL)照射することで、照射波長を共鳴的に吸収する半導体SWNTのみが成長促進されると考えている。励起波長532nm、785nmのRaman散乱スペクトルより、FEL未照射では、直径1.07〜1.50nmの金属CNT、半導体CNTが混在していたが、800nmのFEL照射によって、半導体SWNTのみが成長していることがわかった。可能性のあるカイラリティは、28種類から5種類((14,0),(10,6),(9,7),(11,4),(10,5))に限定されることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-08-03
著者
-
岩田 展幸
日本大学理工学部
-
山本 寛
日本大学理工学部
-
矢島 博文
東京理科大学理学部
-
矢島 博文
東京理科大
-
境 恵二郎
日本大学理工学部
-
金木 邦英
東京理科大学理学部
-
竹下 弘毅
日本大学理工学部
-
石塚 大祐
日本大学理工学部
-
園村 拓也
日本大学理工学部
-
矢島 博文
東京理大理
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