電気磁気効果実現を目指したCr_2O_3スパッタ薄膜作製(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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電気磁気(ME)効果とは電界を印加すると磁化を発生させる現象、あるいは磁場を加えることによって分極を起こす現象である。我々はネール温度が室温以上(308K)である代表的な電気磁気材料のCr_2O_3に注目した。Cr_2O_3薄膜はCeO_2//Nb-SrTiO_3(100)(Nb-STO)(0.5wt.%,Nbドープ)上にoff-axis DC-RFマグネトロンスパッタ法によりCrメタルターゲットを用いて作製された。バッファ層であるCeO_2薄膜の作製は同様のスパッタ装置で作製した。Cr_2O_3薄膜の作製は基板温度510℃〜630℃で行った。基板温度600℃で作製した膜の結晶性は最も良好で半値幅は0.88deg、平均面荒さ(Ra)は基板温度560℃の膜で最も良く、3.31nmとなった。一方、膜絶縁破壊電圧は結晶性、Raが比較的悪かった基板温度510℃で作製されたCr_2O_3薄膜において0.145MV/cmまで向上した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-10-23
著者
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