単層カーボンナノチューブの選択的成長手法の確立によるナノスケールトランジスタへの応用(有機ナノ材料・構造制御,デバイス応用,一般)
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概要
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我々は表面処理により所望の位置に単層カーボンナノチューブ(single-walled carbon nanotubes :SWNTs)を成長させると同時に、成長中に自由電子レーザー(free electron laser :FEL)を照射することにより特定のカイラリティを選択できるという新たな手法を提案する。オゾン処理により三角形の電極間を親水性にし、アルコール化学気相堆積法(alcohol chemical vapor deposition :ACCVD)中に波長800nmのFELを照射した結果、半導体性のSWNTsのみが成長した。FELの未照射時はSWNTsの存在可能なカイラル指数が22であったのに対し、FELの照射時は8となりはるかに減少した。また、カーボンナノチューブの初期成長後にFELを照射した場合もカイラリティ制御が可能であった。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-07-12
著者
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