Controlled Nitrogen Incorporation at Si-SiO_2 Interfaces by Remote Plasma-Assisted Processing
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概要
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This paper presents experimental studies in which N-atoms have been incorporated at Si-SiO_2 interfaces by forming the interface and oxide film by a 3OO℃ remote plasma assisted nitridation/oxidation process using N_2O. Process dynamics have been studied by on-line Auger electron spectroscopy (AES) by interrupted plasma processing. Based on AES studies using N_2O, O_2 and sequenced N_2O and O_2 source gases, reaction pathways for i) N-atom incorporation at and/or ii) removal from buried Si-SiO_2 interfaces have been identified, and contrasted with reaction pathways for nitridation using conventional furnace processing.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1998-02-15
著者
-
LUCOVSKY Gerald
Departments of Physics, Materials Science and Engineering, and Electrical and Computer Engineering,
-
NIIMI Hiro
Departments of Physics, Materials Science and Engineering, and Electrical and Computer Engineering,
-
Niimi H
Hokkaido Univ. Sapporo Jpn
-
Niimi Hiro
Department Of Physics North Carolina State University
-
Komine Kenji
Advanced Technology Research Laboratory Meidensha Corporation
-
KOH Kwangok
Departments of Materials Science and Engineering North Carolina State University
-
GREEN Martin
Lucent Bell Laboratories, Murray Hill
-
Lucovsky G
Departments Of Physics And Electrical And Computer Engineering North Carolina State University
-
Lucovsky Gerald
Department Of Physics Materials Science And Engineering And Electrical And Computer Engineering Nort
-
Green Martin
Lucent Bell Laboratories Murray Hill
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