Ni-Fe/Cu GMR多層膜におけるイオン照射とアニールによる界面制御効果とスピンバルブのFeMn層配向制御効果
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概要
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Ni-Fe/Cu巨大磁気抵抗効果(GMR)多層膜をデュアルイオンビームスパッタ(DIBS)法により作製した。各層の初期堆積層へのイオン照射や後熱処理を行うことで、結晶構造や界面状態を変化させ、スピン依存散乱の界面における影響について調査を行なった。磁界感度は、界面付近の構造に大きく影響を受けていることを確認した。また、150℃の後熱処理を行うことで、磁気抵抗変化率と磁界感度を共に向上させることに成功した。次に耐蝕性を向上させる目的から、基板直上に配置したFeMn反強磁性層の上にGMRサンドイッチを堆積させた構造をもつスピンバルブ素子を作製した。この時イオン照射を行なったNi-Fe配向制御層を用いることでFeMn(111)配向が向上し、20〜30Oeの交換バイアス磁界が確認された。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-11-24
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
宮本 泰敬
NHK技研
-
宮本 泰敬
東工大
-
宮本 泰敬
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
葭谷 徹
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
葭谷 徹
東工大 電子物理工
-
直江 正彦
東京工業大学
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