希土類-遷移金属薄膜を利用した垂直Hall-MRAM素子の提案(画像記録装置及び一般)
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概要
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異常Hall効果を利用した高密度MRAMである垂直Hall-MRAM(PH-MRAM)素子を提案する.希土類-遷移金属(RE-TM)であるDy_x(Fe_<90>Co_<10>)_<1-x>薄膜が高い異常Hall係数を持つことが分かり, このPH-MRAMに応用できると考えられる.また, 書き込み時の消費電力低減技術として磁気弾性効果の利用を提案する.Dy_x(Fe_<90>Co_<10>)_<1-x>薄膜に等方的な機械的伸張応力を加えた結果, 垂直磁気異方性エネルギー変化によるものと思われる保磁力の変化が見られ, 繰返し応力の有無の状態で可逆的な磁気特性の変化が確認された.これらのことからDy_x(Fe_<90>Co_<10>)_<1-x>膜は高密度垂直磁化膜を有する低消費電力ホールメモリ素子の期待できる候補であると思われる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-07
著者
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