応力アシスト磁化反転を用いたGMR多層膜の作製
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概要
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A Stress-Assisted Magnetization Reversal (SAMR) method has been demonstrated in a perpendicular GMR multilayer to reduce a power consumption during the magnetization-reversal process in a perpendicular magenetoresistive random access memory. A giant magnetoresistive multilayer of Cu(15nm)/Terfenol-D(10nm)/Cu(3nm)/TbFeCo(30nm)/Cu(15nm) was prepared. The perpendicular components of magnetization reversal in the GMR multilayer were observed during the SAMR process by using the anomalous Hall effect. As a result, the magnetization of a free layer was shifted from perpendicular to in-plane under the application of a stress of 279MPa.
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
中川 茂樹
東工大
-
神保 和弥
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
齋藤 直哉
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
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