イオンビームスパッタ法によるNi-Fe/Cu巨大磁気抵抗効果多層膜のバッファー層制御特性
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概要
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比較的軟磁気特性の良好なNi-Fe, Cu巨大磁気抵抗効果(GMR)多層膜を、イオンビームスパッタ法によって作製した。Ni-FeおよびCuの結晶子が(100)配向すると、磁気抵抗変化率MR-Ratioが大きくなる傾向がある。この結晶配向を制御するために、Feバッファー層の結晶配向を変化させた。Ni-Fe(100)のエピタキシャル成長が期待できるFe(100)配向と、最密面のFe(100)配向とにFeバッファー層を制御し、それらの上に堆積したGMR多層膜の特性の差違を調べたところ、MR-Ratioの大きさそのものにはそれほどFeバッファー層の配向依存性は見られなかったが、外部磁界に対する磁界感度に差が生じることが確かめられた。(100)配向のFeバッファー層上の[Ni_81>Fe_19>(15Å)/Cu(10Å]_30>多層膜において、MR-Ratio5%,その時の10Oeにおける磁界感度0.13%/Oeが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-03-16
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
宮本 泰敬
NHK技研
-
宮本 泰敬
東工大
-
宮本 泰敬
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
直江 正彦
東京工業大学
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