垂直磁気記録用Co-Cr-Ta/Pt二層膜の作製
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概要
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Ptシード層を用いたCo_<77>Cr_<20>Ta_3/Pt二層膜を対向ターゲット式スパッタ法により作製した。Ptシード層とCo-Dr-Ta記録層の結晶子配同性は共に基板温度T_sが高くなるほど良好となる特徴的な結果となった。垂直保磁力H_<c⊥>は、T_sが250℃、記録層厚δ_<Co>が50nmのとき2.5kOeであった。異常ホール効果測定から磁化挙動を調べたところ、δ_<Co>=30nmのCo-Cr-Ta/Pt二層膜は、単層膜に比べて大きな垂直磁化成分をもことがわかった。Ptシード層は結晶配向性、磁気特性が共に優れたCo-Cr超簿記録層を堆積させるのに有効である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-11-09
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
佐藤 厚
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学工学部
-
直江 正彦
Dept. Of Physical Electronics Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
佐藤 厚
東京工業大学大学院理工学研究科
-
直江 正彦
東工大・工
-
直江 正彦
東京工業大学
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