Si下地層上のCo/Cu多層膜の結晶性とGMR特性
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概要
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Co/Cu multilayers using Si buffer layers revealed good crystallinity and lower resistivity than those using other buffer layers. The periodicity and sharpness at the interface between layers were not as good as those in a multilayer using other buffer layers. Therefore the multilayer using Si buffer layer showed lower resistivity but a slightly smaller change in resistivity Δρ. The MR ratio for the multilayer with an Si buffer layer was 11.1 % in as-deposited state. The annealing process improved the periodicity in the Co/Cu multilayer using an Si buffer layer, and the MR ratio for the multilayer using an Si buffer layer (17.1%) became larger than any of those for multilayers.
- 社団法人日本磁気学会の論文
- 2001-04-15
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
清水 優
(株)東芝セミコンダクター社
-
斉藤 弘幸
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学工学部
-
直江 正彦
Dept. Of Physical Electronics Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
直江 正彦
東大
-
直江 正彦
東工大・工
-
直江 正彦
東京工業大学
-
清水 優
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院
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