非化学量論組成のBaフェライト・スパッタ膜の結晶構造と磁気特性
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概要
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Xeガスを用いたプラズマフリー・スパッタ法を用いて、優れた垂直磁気異方性および大飽和磁化を有するc軸配向Baフェライト膜の低温形成に成功、最低基板温度を550℃から475℃にまで下げることが出来た。Xeガス・スパッタリングの効果と併せて詳述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-19
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
松下 伸広
東京工大 応用セラミックス研
-
松下 伸広
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
野間 賢二
東工大
-
直江 正彦
東京工業大学
-
野間 賢二
東京工業大学工学部
-
松下 伸広
東京工業大学
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