MR2000-14 Si下地層によるCo/Cu多層膜のGMR特性改善
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概要
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Si下地層を用いたCo/Cu多層膜は、他の下地層を用いた多層膜に比べ、優れた結晶配向性と低い抵抗率を示した。しかし、その周期性や界面の状態はNi-Fe下地層を用いた多層膜よりも劣っていた。そのために、その低効率は低いものの抵抗率の変化量は大きくならなかった。アニール処理をすることにより周期性や界面の状態が改善され、Ni-Fe下地層を用いた多層膜のMR ratio(15.5%)よりも大きいMR ratio(17.1%)を得ることができた。
- 2000-07-07
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
清水 優
(株)東芝セミコンダクター社
-
斉藤 弘幸
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
直江 正彦
東京工業大学工学部
-
直江 正彦
Dept. Of Physical Electronics Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Technology
-
直江 正彦
東大
-
直江 正彦
東工大・工
-
直江 正彦
東京工業大学
-
清水 優
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院
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