CPP構造スピントランジスタ素子の試作(信号処理および一般)
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概要
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現在主流のCIP(Current In Plane)方式GMR膜ではMR比(磁気抵抗変化率)を20%以上に高めることが難しくなっているため、より高いMRが得られると期待されるCPP(Current Perpendicular to Plane)構造を用いたスピントランジスタの作製を試みた。スピントランジスタの素子加工を行うためにフォトリソグラフィによるパターン形成の導入を行った。GMRベースとn-Siとの間にショットキー障壁を形成するためにスパッタ前にHFによる表面処理を3分間行い、仕事関数の大きな金属であるAuをGMRベースの下地層とした。電極金属をCuからAl変更することでn-Siと電極との接触をオーミック特性とすることが出来た。そこで、絶縁膜を使わない簡易型スピントランジスタを作製しコレクタ電流の磁界変化依存を測定してその変化を観測した。またそれとは別にAl酸化膜を20Torrの酸素雰囲気中で5時間酸化して作製してそのI-V特性から絶縁膜の厚さと障壁高さを導出したところ3.8Åと4.1eVとなり非常に薄い絶縁膜を得ることが出来た。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2002-12-13
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
金 容珍
東京工業大学大学院・理工学研究科電子物理工学専攻
-
久保田 智史
東京工業大学
-
太田 正純
東京工業大学大学院・理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院
-
久保田 智史
東京工業大学大学院・理工学研究科電子物理工学専攻
-
金 容珍
東京工業大学大学院・理工学研究科電子物理工学
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