スピンバルブ用Ni-Fe/FeMn二層膜の交換バイアス磁界
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概要
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デュアルイオンビームスパッタ(DIBS)装置によりスピンバルブ素子用Ni-Fe/FeMn二層膜を作製した.スピントンネル磁気抵抗効果(TMR)スピンバルブへの利用を考えて, 下地層に絶縁層であるSi_3N_4や半導体であるSiを用いることを検討した.Si_3N_4バッファー層を用いた場合は, 交換バイアス磁界H_ex.の発現は見られなかったが, 適度な加速電圧での界面へのイオン照射により, FeMnの結晶性と(111)面配向度が向上し, 35Oe程度のH_ex.が発現した.またSiバッファー層を用いることにより界面への照射なしでも134Oeと大きなH_ex.が発現した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-18
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
清水 優
(株)東芝セミコンダクター社
-
直江 正彦
東京工業大学 電子物理工学専攻
-
西村 高一
東工大
-
西村 高一
東京工業大学工学部電子物理工学科
-
直江 正彦
東工大・工
-
直江 正彦
東京工業大学
-
清水 優
東京工業大学 電子物理工学専攻
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