Co-Znフェライト薄膜の磁気特性と記録再生特性

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概要

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対向ターゲット式スパッタ法を用いて様々な基板温度でCo-Znフェライト薄膜を作製し、結晶学的・磁気的特性およびコンタクト方式での記録再生特性の評価を行った。基板加熱無しおよび400℃で作製した膜はそれぞれ(111)および(311)単相配向膜となり、その間の基板温度では(111)と(311)の混相の膜となった。Co-Znフェライト膜はCoフェライト膜に比べて大きな飽和磁化および低い保磁力をもち、基板温度が250℃の時に飽和磁化が最大で4.8kG、その時の保磁力は1.5kOe程度であった。(111)配向したCo-Znフェライト膜は等方的な磁化配向を示し、面内と垂直のM-Hループがほとんど同形であった。これをディスク基板上に作製して薄膜型リングヘッドを用いて記録再生を行ったところ、フェライト薄膜媒体として高密度な31kfrpiを得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-03-16

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