108 ナノスケールトランジスタ製造工程の残留応力変動計測(若手優秀講演フェロー賞対象講演(3))
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概要
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ナノスケールトランジスタの性能はその応力・ひずみ状態に依存して複雑に変化することが知られており,製品の性能や信頼性を保証するには,製造工程における残留応力変化を正確に計測する技術開発が望まれている.そこで,シリコン結晶のピエゾ抵抗効果を応用し,シリコン基板内蔵センサを開発し,50nm サイズのトランジスタ製造薄膜プロセスにおける残留応力測定を実現した.
- 2010-09-24
著者
-
鈴木 研
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
三浦 英生
東北大
-
三浦 英生
東北大通研
-
鈴木 研
東北大
-
中平 航太
東北大
-
多胡 弘紀
東北大工
-
中平 航太
東北大院
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