1A1-I04 カーボンナノチューブエミッターによって電子ビーム誘発された堆積によるナノ製造
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概要
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電子ビーム誘発された堆積(EBID)はカーボンナノチューブ(CNT)エミッターを通して実現された。ナノマニピュレーションによってナノチューブエミッターと基板の間のギャップが377nmに調整され, 120Vのバイアスをかけて, 2μAの放出電流が得られることを示した。同じ真空室の電界放出走査電子顕微鏡(FESEM)の熱電子銃による従来のEBIDと比較すると, ナノチューブエミッターのバイアスと放出電流は, それぞれFESEMの熱電子銃のわずか0.8%および1.9%であるが, 堆積率はそれの12.2%に達したことが分かった。そして, 最後にパラレルEBIDは提案された。
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