T0302-2-6 TEM内における単結晶シリコン薄膜のその場引張試験([T0302-2]高信頼マイクロ・ナノデバイスのための設計・計測技術(2):応力・ひずみ計測)
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概要
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In-situ tensile test of single-crystal-silicon thin film was performed on silicon device in transmission electron microscopy (TEM) using a piezodriven specimen holder. The manipulator attached to the TEM holder is driven within 10μm range with nano-meter resolution. The transition of the bend contours of silicon film were observed in real-time monitoring during tensile test. After fracture of the silicon, a number of dislocations were observed on the fracture surface.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2010-09-04
著者
-
佐藤 一雄
名古屋大学大学院工学研究科
-
中島 正博
名古屋大学大学院工学研究科
-
佐藤 一雄
名大
-
安藤 妙子
立命館大学
-
福田 敏男
名古屋大学大学院工学研究科マイクロ・ナノシステム工学専攻
-
福田 敏男
名古屋大学
-
福田 敏男
名大
-
中島 正博
名大
-
佐藤 一雄
(株)日立製作所
-
荒井 重勇
名大
-
石原 英和
名大
-
中島 正博
名古屋大
-
安藤 妙子
立命館大
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