FeCoB膜の異方性内部応力形成観測と高磁気異方性の関係(固体メモリ・媒体,一般)

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概要

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Ti/Ru/FeCoB膜において形成される異方的な内部応力と磁気異方性との関係について評価した。ターゲット〜基板間距離やスパッタガス圧を変化させることで堆積粒子の基板入射方向の分布を変えることで、残留内部応力の異方的な変化を形成したところ膜の磁気異方性が変化した。それぞれの場合での容易軸方向と困難軸方向でのFeCoB層の応力の形成過程をin-situ観測を行った。実験結果から、応力に異方性が出始めるのは膜厚が100nm以降であることが多いことがわかった。また、2軸方向とも圧縮応力が働く場合では応力の異方性と磁気異方性との関係が確認できた。一方、2軸方向とも引張応力が働く場合では磁気異方性へ与える影響は小さくなることが確認できた。
一般社団法人電子情報通信学会の論文
2013-07-05

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