New Electrically Thinned Intrinsic-Channel SOI MOSFET with 0.01 μm Channel Length
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概要
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In an ultrasmall device with a channel length of 0.01 μm, only one impurity atom on the average exists in the channel region even though the impurity concentration is higher than 5.0×10^<18> cm^<-3>. Therefore, the device characteristics significantly change from device to device within a wafer, or even within a chip, due to the statistical variation of the impurity concentration. We investigated the influences of isolated atoms in the channel region on the device characteristics based on a Monte Carlo simulation and propose a new 0.01 μm silicon-on-insulator metal oxide semiconductor field-effect transistor (SOI MOSFET) with undoped channel to suppress the influences of statistical variation and the short channel effect.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1997-03-30
著者
-
小柳 光正
東北大学大学院工学研究科機械知能工学専攻知能システム設計学研究室
-
Pidin Sergey
株式会社富士通研究所 Cプロジェクト部
-
Pidin S
Department Of Machine Intelligence And System Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
Pidin Sergey
Department Of Machine Intelligence And System Engineering Intelligent System Design Laboratory Tohok
-
Pidin Sergey
Department Of Machine Intelligence And System Engineering Faculty Of Engineering Tohoku University
-
Koyanagi Mitsumasa
Department Of Bioengineering And Robotics Graduate School Of Engineering Tohoku University
-
Shimatani Tamio
Department Of Machine Intelligence And System Engineering Intelligent System Design Laboratory Tohok
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