Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n^+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 1999-03-15

著者

• Nakata Hirofumi

  Nippon Mining & Metals Co. Ltd. Saitama Jpn

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• Niwa H

  National Industrial Research Institute Of Nagoya

• MAEZAWA Koichi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• MIZUTANI Takashi

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Department Of Quantum Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Ntt System Electronics Laboratories:(present) Faculty Of Engineering Nagoya University

• Mizutani Takashi

  Department Of Health Sciences Yamanashi Medical University

• OHNO Yutaka

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• KISHIMOTO Shigeru

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• Yamazaki Hiroki

  Ntt Applied Electronics Laboratories

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Ohno Yutaka

  Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University

• Taniguchi T

  Japan Radio Co. Ltd.

• Taniguchi T

  Forest Tree Breeding Center Ibaraki Jpn

• NIWA Hiroyuki

  Department of Quantum Engineering, Nagoya University

• YAMAZAKI Hajime

  Japan Radio Co., Ltd.

• TANIGUCHI Toru

  Japan Radio Co., Ltd.

• Yamazaki H

  Japan Radio Co. Ltd.

• Nakata Hirofumi

  Nippon Mining & Metals Co. Ltd.

• Maezawa K

  Graduate School Of Science And Engineering University Of Toyama

• Mizutani Takashi

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Department Of Physics School Of Science And Engineering Waseda University:atsugi Electrical Communic

• Mizutani Takashi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Univ. Of Toyama Toyama‐shi Jpn

• Ohno Yutaka

  Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University

関連論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Ultra-Short Pulse Generators Using Resonant Tunneling Diodes and Their Integration with Antennas on Ceramic Substrates
• Metamorphic Resonant Tunneling Diodes and Its Application to Chaos Generator ICs
• Semiconductor Spin Electronics
• A Spin Esaki Diode
• Carrier Mobility Dependence of Electron Spin Relaxation in GaAs Quantum Wells
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• Dual-Wavelength High-Power Laser Diodes Fabricated by Selective Fluidic Self-Assembly
• Dual wavelength high power laser diodes fabricated by Selective Fluidic Self-Assembly technique
• Suppression of Hysteresis in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors : Effect of Contamination Induced by Device Fabrication Process
• Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
• Fabrication of Antigen Sensors Using Carbon Nanotube Field Effect Transistors
• Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Effects of Fabrication Process on Current-Voltage Characteristics of Carbon Nanotube Field Effect Transistors
• Photoresponse of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
• Growth of mm-Long Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
• Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Fluid Dynamic Assembly of Semiconductor Blocks for Heterogeneous Integration
• Fabrication Technique for Carbon Nanotube Single-Electron Transistors Using Focused Ion Beam
• Direct Observation of High-Frequency Chaos Signals from the Resonant Tunneling Chaos Generator
• Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
• Experimental Demonstration of Capacitor-Coupled Resonant Tunneling Logic Gates for Ultra-short Gate-delay Operation
• Position-Controlled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Fabricated by Chemical Vapor Deposition Using Patterned Metal Catalyst
• Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
• Electroluminescence in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under High Bias Voltage (Short Note)
• Temperature Distribution Measurement in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Micro-Raman Scattering Spectroscopy : Semiconductors
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• Characterization of Neutron Elastic Recoil Detection Analysis with Low-Energy Neutron Beams
• Damage Production and Reduction of Single-Crystalline TiN Films by 1.8 MeV Carbon Beam Irradiation
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• Microwave Performance of 0.3-μm Gate-Length Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction FETs with Minimized Current Collapse
• 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• High-Speed Operation of a Novel Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n^+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors
• Electroluminescence Measurement of n^+ Self-Alighed Gate GaAs MESFETs
• Electroluminescence Measurement of n Self-Aligned GaAs MESFETs
• 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
• High Power and Stable Oscillations in the RTD Pair Oscillator ICs Fabricated with Metamorphic RTDs
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
• High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
• A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes(Semiconductors)
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• Optoelectronic Flexible-Function Logic Gate Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tunneling Transistors
• Two-Dimensional Cyclic Bias Device Simulator and Its Application to GaAs HJFET Pulse Pattern Effect Analysis (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p^+/n-Junction Gate
• 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube (Special Issue : Solid State Devices and Materials (1))
• 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
• 26pYL-9 GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
• 31a-ZA-11 GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク