Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p^+/n-Junction Gate

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• We studied photoluminescence (PL) of a resonant tunneling transistor with a p^+/n-junction gate. The excitation energy was selected to be close to the band-gap energy of the GaAs collector layer 1)so as not to excite the barrier layer and quantum well directly, and 2)in order to obtain a simple luminescence spectrum. The PL signal shows strong correlation with the resonant tunneling current. The PL peak position shows a redshift with increasing collector voltage, indicating the existence of the quantum-confined Stark effect. The collector voltage dependence of the PL linewidth suggests the existence of charge accumulation in the quantum well. The accumulated electron density and the charging time were estimated. It was also shown that the PL intensity could be controlled by the gate voltage without affecting the resonant tunneling behavior of electrons.

• 社団法人応用物理学会の論文
• 2000-01-15

著者

• Ohno Y

  Jst‐presto Saitama Jpn

• KISHIMOTO Shigeru

  Graduate School of Engineering, Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Ntt System Electronics Laboratories:(present) Faculty Of Engineering Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Quantum Engineering Nagoya University

• Kishimoto Shigeru

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Ohno Yutaka

  Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University

• Maezawa K

  Graduate School Of Science And Engineering University Of Toyama

• Mizutani Takashi

  Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Department Of Physics School Of Science And Engineering Waseda University:atsugi Electrical Communic

• Mizutani Takashi

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University

• Maezawa Koichi

  Univ. Of Toyama Toyama‐shi Jpn

• Ohno Yutaka

  Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University

関連論文

• 20pHT-5 高濃度ドーパント添加シリコン中の転位の構造特性(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 20pHT-10 ゲルマニウム中の酸素不純物の赤外分光法による評価(20pHT 格子欠陥,ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 25pYK-7 ゲルマニウム中の転位の運動速度(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25aYC-5 ナノ領域に選択成長させた触媒からのナノワイヤ生成(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Opto-TEM 法によるw-ZnO中の転位の光学応答解析
• 25pYK-5 シリコン結晶育成時のシード・結晶界面でのミスフィット転位発生(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27pRB-5 シリコンの曲げ変形と転位の動特性(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-13 ZnO結晶の硬度特性と転位挙動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-11 ZnO中の転位の電子励起誘起運動(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pPSA-39 個々のナノチェインの電気的ブレイクダウン(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24pYF-15 ZnO中の転位に関係する局在電子準位(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aYF-6 ワイドギャップ半導体の強度特性と転位運動(格子欠陥・ナノ構造(力学物性・転位),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-8 塑性変形したバルクZnO単結晶の降伏強度と転位の運動(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pTA-9 塑性変形したZnOの光学特性(格子欠陥・ナノ構造(転位・機械的性質),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 13pTJ-11 TEM-CL 法による双晶面が存在する AlGaAs の光学特性の評価(電子線, 領域 10)
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 26aWZ-4 P添加Si中の転位構造(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 26aWZ-3 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(26aWZ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• Ultra-Short Pulse Generators Using Resonant Tunneling Diodes and Their Integration with Antennas on Ceramic Substrates
• Metamorphic Resonant Tunneling Diodes and Its Application to Chaos Generator ICs
• Semiconductor Spin Electronics
• A Spin Esaki Diode
• Carrier Mobility Dependence of Electron Spin Relaxation in GaAs Quantum Wells
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 20pYD-5 電子線照射した Si(100) 表面上での吸着原子の拡散と集合
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 27aYG-8 再成長界面を基点に形成されるAlGaAs中の双晶の光学特性(化合物・輸送・アモルファス・不純物)(領域4)
• Suppression of Hysteresis in Carbon Nanotube Field-Effect Transistors : Effect of Contamination Induced by Device Fabrication Process
• Fabrication of Carbon Nanotube Field Effect Transistors Using Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition Grown Nanotubes
• Fabrication of Antigen Sensors Using Carbon Nanotube Field Effect Transistors
• Fabrication and Characterization of Peapod Field-Effect Transistors Using Peapods Synthesized Directly on Si Substrate
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Effects of Fabrication Process on Current-Voltage Characteristics of Carbon Nanotube Field Effect Transistors
• Photoresponse of Carbon Nanotube Field-Effect Transistors
• Growth of mm-Long Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition
• Tunable Field-Effect Transistor Device with Metallofullerene Nanopeapods
• Growth of High-Quality Carbon Nanotubes by Grid-Inserted Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for Field Emitters
• Fluid Dynamic Assembly of Semiconductor Blocks for Heterogeneous Integration
• Fabrication Technique for Carbon Nanotube Single-Electron Transistors Using Focused Ion Beam
• Direct Observation of High-Frequency Chaos Signals from the Resonant Tunneling Chaos Generator
• Fabricated on a GaAs-based Semiconductor-on-Insulator Substrate Using a Spin-On Low-k Dielectric Film
• Experimental Demonstration of Capacitor-Coupled Resonant Tunneling Logic Gates for Ultra-short Gate-delay Operation
• Position-Controlled Carbon Nanotube Field-Effect Transistors Fabricated by Chemical Vapor Deposition Using Patterned Metal Catalyst
• Large Gate Leakage Current in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
• Electroluminescence in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors under High Bias Voltage (Short Note)
• Temperature Distribution Measurement in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors by Micro-Raman Scattering Spectroscopy : Semiconductors
• Fabrication of vertically-aligned CNT electrodes using plasma-enhanced CVD for chemical sensors
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 24pPSA-63 シリコン表面上の電子線照射誘起欠陥のSTM観察
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• Microwave Performance of 0.3-μm Gate-Length Multi-Finger AlGaN/GaN Heterojunction FETs with Minimized Current Collapse
• 13pPSA-58 MBE-VLS 法で成長した ZnSe ナノワイヤーの光学特性(領域 5)
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• High-Speed Operation of a Novel Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit
• Robust Operation of a Novel Frequency Divider Using Resonant Tunneling Chaos Circuit
• Resonant Tunneling Chaos Generator for High-Speed/Low-Power Frequency Divider
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 18aWD-9 金蒸着Si(111)水素終端面の高温STM観察
• 29pPSA-27 Si(111)水素終端表面上に蒸着された金クラスターのSTM観察
• Measurements of Electroluminescence Intensity Distribution in the Direction of Gate Width of n^+ Self-Aligned Gate GaAs Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors
• 20pYD-6 ZnSe 薄膜中における積層欠陥の光誘起成長(TEM 内光照射その場観察)
• A GaAs SOI HEMT Fabricated by Fluidic Self-Assembly and Its Application to an RF-Switch
• High Power and Stable Oscillations in the RTD Pair Oscillator ICs Fabricated with Metamorphic RTDs
• Novel Resonant Tunneling Diode Oscillator Capable of Large Output Power Operation(THz Devices,Heterostructure Microelectronics with TWHM2005)
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• Atomic Force Microscopy and Kelvin Probe Force Microscopy Measurements of Semiconductor Surface Using Carbon Nanotube Tip Fabricated by Electrophoresis
• Medium Scale Integrated Circuits Using Carbon Nanotube Thin Film Transistors
• High-Performance Top-Gate Carbon Nanotube Field-Effect Transistors and Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Inverters Realized by Controlling Interface Charges
• A Delta-Sigma Analog-to-Digital Converter Using Resonant Tunneling Diodes(Semiconductors)
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• Optoelectronic Flexible-Function Logic Gate Using Monostable-Bistable Transition of Serially Connected Resonant Tunneling Transistors
• Two-Dimensional Cyclic Bias Device Simulator and Its Application to GaAs HJFET Pulse Pattern Effect Analysis (Special Issue on TCAD for Semiconductor Industries)
• 27pTJ-15 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのII)(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-14 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-19 ZnO中のプリズム面上転位の光学特性(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 27pTJ-17 低温堆積GaNバッファ層の結晶化初期段階における成長方位の変化(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Photoluminescence Study of Resonant Tunneling Transistor with p^+/n-Junction Gate
• 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
• 27pYC-10 シリコン表面ナノホールのexcavationメカニズム
• 23pTA-11 多形シリコンナノワイヤー
• 25pY-6 GaPの点欠陥移動における表面効果
• 24pY-14 シリコン表面ナノホールの光物性
• 23aW-13 シリコンナノワイヤーのTEM内その場可視分光装置による光学測定
• Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs
• 22aGQ-3 高濃度ボロン添加シリコンにおける銅析出物の研究 その2(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-1 高濃度に不純物を添加したゲルマニウム結晶中での転位の挙動(そのIII)(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-4 第一原理計算によるSi中のCu析出物の相安定性(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-3 非極性GaN成長における低温バッファ層の微視的構造(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGQ-2 ZnO中のプリズム面上転位の電子状態(22pGQ 格子欠陥・ナノ構造(半導体・誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-11 P,Bを含んだSi結晶の積層欠陥エネルギーの第一原理計算(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• Estimation of Height of Barrier Formed in Metallic Carbon Nanotube (Special Issue : Solid State Devices and Materials (1))
• 27pZ-5 シリコン {111} 表面上に生成したシリコンナノワイヤーの光物性
• 26pYL-9 GaInP中の反位相境界に自己形成された量子井戸構造
• 31a-ZA-11 GaInP中の反位相境界に起因する局在電子準位

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク