Microscopic Photoluminescence Study of InAs Single Quantum Dots Grown on (100) GaAs
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概要
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We report ultranarrow (≤60μeV) photoluminescence (PL) lines originating from single InAs quantum dots (QDs) sandwiched by Al_<0.35>Ga_<0.65>As barrier layers, demonstrating their δ-function-like density of states (DOS). The temperature dependence of the full-width at half maximum (FWHM) was studied between 10 and 90K. It linearly increased with increasing temperature from 40 to 80 K (〜7μeV/K), suggesting the existence of an excitonic dephasing mechanism. Pure dephasing of excitons due to exciton-phonon interactions in acoustic phonon mode was suggested as a possible mechanism for the PL line broadening.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1999-01-30
著者
-
Ohno Y
Jst‐presto Saitama Jpn
-
Kishimoto Shigeru
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Kishimoto Shigeru
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Ohno Yutaka
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Kyoto University
-
Mizutani Takashi
Department Of Electronics Faculty Of Engineering Nagoya University
-
ASAOKA Kazuya
Department of Quantum Engineering, Nagoya University
-
Mizutani Takashi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Nagoya University
-
Asaoka Kazuya
Department Of Quantum Engineering Nagoya University
-
Ohno Yutaka
Department of Applied Chemistry, Faculty of Engineering, Tohoku University
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