アモルファスシリコン薄膜トランジスタへのポスト水素化の効果

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概要

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• 化学気相堆積法によって作製したアモルファスシリコン薄膜トランジスタの特性がポスト水素化処理によって変化する様子を詳細に調べた.トランジスタ特性は,活性界面付近が水素化され始めると急激に改善され,水素化が更に進むと一定状態に落ち着く.この特性改善が生じる臨界水素化条件は水素の走行時間を用いた簡単な式で記述できる.アモルファスシリコン膜は100nm以上の厚さが望ましい.また,水素化が可能な範囲内では,低温度下の水素化が望ましい.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1993-05-25

著者

• 松村 正清

  東京工業大学工学部:(現)(株)液晶先端技術開発センター

• 杉浦 修

  東京工業大学大学院・理工学研究科

• Byung-chul Ahn

  東京工業大学工学部(anyang Laboratory)

• Ahn Byung-chul

  東京工業大学工学部

• 加納 博司

  東京工業大学工学部(日本電気株式会社)

• 宇佐美 浩一

  東京工業大学工学部

• 松村 正清

  ジャイアントマイクロエレクトロニクスとその応用論文特集編集委員会

• 杉浦 修

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo Jpn

• 松村 正清

  東京工業大学

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