シリコン薄膜の振幅・位相制御エキシマレーザ溶融再結晶化法 : 新しい2-D位置制御大結晶粒形成法(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
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概要
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Siの新しいエキシマレーザ溶融再結晶化(ELA)法を提案・検証している.この振幅・位相制御ELA(PAM-ELA)法では,光吸収性薄膜を貼付したマスクを用いるので,マスクと試料との間げきを狭く保ちながら試料表面のレーザ光強度分布を緩やかに変化させることができる.また,マスク表面に付加した位相シフタによって,光強度分布を急しゅんに変化させることもできる.これらの特徴を活用すれば,"間隔揺らぎ"の極めて小さな状態で,大結晶粒を2次元的に位置制御して形成できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-07-25
著者
-
中田 充
東京工業大学工学部:(現)日本電気(株)necラボラトリーズ機能デバイス研究所
-
松村 正清
東京工業大学工学部:(現)(株)液晶先端技術開発センター
-
井上 弘毅
東京工業大学工学部
-
松村 正清
(株)液晶先端技術開発センター
-
井上 弘毅
東京工業大学工学部:(現)(株)半導体エネルギー研究所
-
松村 正清
東京工業大学
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