次世代Si薄膜デバイスを目指した超巨大結晶粒形成法
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概要
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エキシマレーザを用いたSiの溶融・再結晶化法について、われわれの研究成果を中心に紹介する。Siの固化開始時間を試料内で分散させれば、横方向の結晶成長が起こるので、結晶粒径を従来の0.1μm程度から桁違いに大きくできる。時間分散の方法としては、照射光強度を不均一にする、試料構造を不均一にする、等がある。この横方向成長法は、さまざまな信号処理機能をガラス基板上に集積することを目的としているから、SOI技術の再展開につながる可能性も秘めている。また、高性能Si薄膜太陽電池へ応用される可能性もある。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
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