高垂直磁気異方性Srフェライト超薄膜の作製と磁気特性
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概要
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(111)面配向したPt下地層上のBaM層は、層厚が8nm程度でも結晶配向を維持することができる.BaM粒子の微細化のために磁性層を薄層化した場合のH_c⊥や垂直角形比S_⊥の減少を克服するためにBaM/Pt多層膜構造より高い磁気異方性を有するSrフェライト膜の薄膜化に成功した。この場合、膜作製時のガス種をAr+Krの混合ガス雰囲気とすることにより、20nm以下でも結晶性・c軸配向性に優れた膜を得ることができた。また従来よりも約50℃低い450℃で結晶化したSrMフェライト膜を得ることができ、垂直磁気記録媒体としての有望性を示すことができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-12-06
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
松下 伸広
東京工大 応用セラミックス研
-
松下 伸広
東京工業大学 応用セラミックス研究所
-
水野 啓介
東京工業大学
-
松下 伸広
東京工業大学
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院
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