超伝導セラミックスEr_1Ba_2Cu_3O_yの酸素ストイキオメトリー

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• The oxygen content y was measured in the superconductive ceramic Er_1Ba_2Cu_3O_y quenched at several temperatures. In the quenching process at 950℃ the oxygen content went down from 6.85 to 6.24. The critical temperature where oxygen fugacity starts was a bout 500℃. The superconductive transition temperature was strongly affected by the oxygen content. In those results, no essential difference could be found between Er_1Ba_2Cu_3O_y and Y_1Ba_2Cu_3O_y systems.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1988-04-01

著者

• 藤原 康文

  名大工

• 小林 猛

  大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域

• 小林 猛

  大阪大 大学院基礎工学研究科

• 小林 猛

  阪大基礎工

• 小林 猛

  大阪大学基礎工学部電気工学科

• 高橋 哲朗

  大阪大学基礎工学部

• 斗内 政吉

  大阪大学基礎工学部

• 藤原 康文

  大阪大学基礎工学部

• 小林 猛

  大阪大学基礎工学部

関連論文

• スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性
• GaNを利用した赤色発光ダイオード--世界初Eu添加GaNによる赤色LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
• Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性
• TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 希土類添加半導体の現状と将来展望
• 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
• 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
• 31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
• 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
• 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
• 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
• 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
• 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
• 24pC-8 ESRによる酸素共添加InP:Erの電子状態の解析
• 28p-YN-7 ESRによるInP:Erの電子状態の解析
• Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
• フォトルミネッセンス法によるGaAs中の遷移金属の評価
• 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
• 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
• 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAs バッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシー法によるInP基板上GaInAsPおよびAlInAsバッファー層へのInAs量子ドットの形成と電流注入型デバイスへの応用(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP基板上InGaAsPへのInAs量子ドットの形成と室温電流注入発光 : エピキタシャル成長III
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• InP基板上InGaAsPへの液滴エピタキシーを用いたInAs量子ドットの作製と評価(III族窒化物研究の最前線)
• 25a-YE-11 InP基板上の半金属ErP島構造の量子サイズ効果
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• Ga_xIn_P:Er(0≦x≦1)における発光特性のGa組成依存性
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加GaPの成長と評価
• 31p-PSB-29 RBS-channeling法を用いたδ-doped InPの構造解析
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InGaAs/InP多重量子井戸の構造と光励起キャリヤダイナミクス
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• InP(001),(111)A,(111)B基板上へのErP/InPおよびInP/ErP/InPヘテロ構造の作製とその表面観察(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
• ICPを用いた反応性イオンエッチングによるInP2次元フォトニック結晶の作製
• Y-Ba-Cu-O系超伝導体と電気光学結晶との反応性(セラミック材料小特集号)
• フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
• フェイスダインOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• フェイスダウンOMVPE法によるInP基板上へのErP成長
• 負バイアス印加PLD法による(La, Sr)MnO_3薄膜の粒径制御
• ステップエッジ(100) GaAs 基板上に成長させた(La,Sr)MnO_3ティルティド・ナノコラム・バウンダリの磁気抵抗効果
• 3. アブレーションプラズマ生成・制御1(レーザー) (アブレーションプラズマのプロセス応用)
• 固相反応によるバルクβ-FeSi_2結晶生成用ロッド状整列共晶組織の形成とその方位解析(半導体エレクトロニクス)
• 28pTB-8 InP(001)面におけるErPの成長と表面構造
• 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
• 次世代エレクトロニクスデバイスのブレークスルーは何か?
• 有機金属気相エピタキシャル法により作製したGaAs基板上GaInP組成のドーピング濃度依存性 : エピキタシャル成長III
• OMVPE法によるEr,O共添加GaAs/GaInPDH構造発光ダイオードの作製とその発光特性 : エピキタシャル成長III
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• TBPを用いたOMVPE法によるEr添加InPの成長と評価
• OMVPE法によりInP中に添加したEr原子周辺の局所構造 : 蛍光EXAFS法による解析
• 蛍光 EXAFS 法による InP 中に均一ドープした Er 原子周囲の局所構造解析
• ダイヤモンド薄膜表面のカソードルミネッセンスによる評価
• ダイヤモンド薄膜表面のカソードルミネッセンスによる評価
• XeアシストMPCVDを用いたダイヤモンド薄膜成長
• 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
• 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
• 31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
• 25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
• 液滴ヘテロエピタキシーによるInP(001)上へのInAs島形成
• 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 28pYF-3 InGaP/GaAs ヘテロ接合における赤外発光
• 高温超伝導エレクトロニクスの最近の動向
• 研究開発情報 酸化物半導体の新しい薄膜作製法
• YBa_2Cu_3O_x/SrTiO_3/La_xSr_TiO_3PIN接合素子の試作研究
• 遮蔽マスクを用いた高品位レーザーアブレーション成膜法(エクリプス法)
• エクリプス・エンジェルPLD法の提案とその特性 (超伝導エレクトロニクス/一般)
• 粒子拡散を利用する新しいレ-ザ-アブレ-ション薄膜形成(エクリブス法)
• 高温超伝導体のルミネッセンス評価
• 超伝導セラミックスEr_1Ba_2Cu_3O_yの酸素ストイキオメトリー
• 希土類元素発光中心の形成と光デバイスへの展開 : 結晶成長による原子配置の制御とデバイス作製
• 17pTG-1 ESRによるGaAs:Dyの電子状態の解析
• 28aTB-5 ESRによる酸素共添加Ga As; Erの電子状態の解析III
• 23pSB-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析II
• 22aK-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析
• Room-Temperature Operation of Injection-Type 1.5μm Light-Emitting Diodes with Er, O-Codoped GaAs (Special Issue on Narrow and Wide-Bandgap Semiconductor Materials)
• 18aPS-20 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス II
• 27aYA-5 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス
• 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
• 常温超伝導をめぐる動き
• 8p-B-9 Formation of ErP islands on InP(001)surface by OMVPE
• OMVPE法により作製したEu添加GaNの発光特性及び赤色発光ダイオードへの応用(次世代素子のための窒化物結晶成長新機軸)
• 高温超伝導バルクおよび薄膜からのカソードルミネッセンス

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク