エクリプス・エンジェルPLD法の提案とその特性 (<特集>超伝導エレクトロニクス/一般)
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概要
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Pulsed Laser Deposition(PLD)法に特有の, 液滴状粒子を排除するのに大変有効である一方, 活性成長種が基板に到達しにくい, 低圧での薄膜堆積速度が小さいという, 従来のエクリプスPLD法の弱点を克服することを目的として, 複数のリング状により遮蔽マスクが構成されるエクリプス・エンジェルPLD法を新たに提案し, シミュレーシヨン及び実験の両面から特性を評価した. その結果, YBa_2Cu_3O_xの成膜において雰囲気酸素圧0.1Torr以下の低圧域での堆積速度が向上し, フレーミングストリークカメラによるプルーム像の高速観察の結果, マスク構造の中心部を通ってくる発光粒子群が基板に到達できることを確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-10-30
著者
-
小林 猛
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
小林 猛
大阪大 大学院基礎工学研究科
-
小林 猛
阪大基礎工
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
立木 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
立木 実
大阪大学基礎工学都電気工学科
-
森田 英一
大阪大学基礎工学都電気工学科
-
山田 健二
大阪大学基礎工学都電気工学科
-
方 暁東
大阪大学基礎工学都電気工学科
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部
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