8p-N-1 半導体のCarrler-Wave:多速度理論
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1970-10-03
著者
関連論文
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体と電気光学結晶との反応性(セラミック材料小特集号)
- 負バイアス印加PLD法による(La, Sr)MnO_3薄膜の粒径制御
- ステップエッジ(100) GaAs 基板上に成長させた(La,Sr)MnO_3ティルティド・ナノコラム・バウンダリの磁気抵抗効果
- 3. アブレーションプラズマ生成・制御1(レーザー) (アブレーションプラズマのプロセス応用)
- 次世代エレクトロニクスデバイスのブレークスルーは何か?
- 磁気シールドレスOpen-SQUID心臓磁界計測システムの開発
- バイアス印加ECRプラズマ酸化法による超伝導薄膜の処理技術 (酸化物超伝導体薄膜の作製法)
- 8p-N-1 半導体のCarrler-Wave:多速度理論
- 選択ド-プ・ヘテロ界面に沿う2次元プラズモンからの遠赤外発光
- 金属-半導体エピタキシャル積層構造の作製
- 高温超伝導エレクトロニクスの最近の動向
- 研究開発情報 酸化物半導体の新しい薄膜作製法
- YBa_2Cu_3O_x/SrTiO_3/La_xSr_TiO_3PIN接合素子の試作研究
- 遮蔽マスクを用いた高品位レーザーアブレーション成膜法(エクリプス法)
- エクリプス・エンジェルPLD法の提案とその特性 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 粒子拡散を利用する新しいレ-ザ-アブレ-ション薄膜形成(エクリブス法)
- レーザーアブレーション薄膜形成の新しい方式(エクリプス法)
- 高温超電導体を使った新しい電子デバイス
- Si基板上の前兆形強誘電体薄膜SrTiO_3の形成とMIFS構造の特性
- 高誘電性エピタクシャルSrTiO_3薄膜の作製と電気特性
- 電界効果形高温超伝導トランジスタの研究
- YBaCuO薄膜における電界効果
- 高温超伝導体の応用 (高温超伝導)
- 高温超伝導体のルミネッセンス評価
- 超伝導セラミックスEr_1Ba_2Cu_3O_yの酸素ストイキオメトリー
- 超伝導三端子素子
- Nb系トンネル形ジョセフソン接合特性におよぼすスパッタクリーニングの影響
- バイアス印加ECRプラズマ酸化法による超伝導薄膜の処理技術
- ECRマイクロ波プラズマ酸化による表面改質 (酸化物高温超伝導体の作製(技術ノ-ト))
- 非希土類系酸化物高温超伝導体への異種元素添加効果
- 高温超伝導マルチヘテロエピタキシャル成長
- 常温超伝導をめぐる動き
- 高温超伝導膜の作製とエレクトロニクスへの応用
- 4a-C-3 非平衡超伝導体の新しい現象論的記述とその微視的考察