次世代エレクトロニクスデバイスのブレークスルーは何か?
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概要
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高度情報化社会の発展に伴い, それを文えるエレクトロニクスの役割は今後ますます大きくなっていくであろう.ここでは抜術革新につながるエレクトロニクスデパイスのブレークスルーについて材料面から展望している.次世代半導体デバイス開発に不可欠な高誘電・低誘電・強誘電材科について触れ, 更にハードエレクトロニクスの候捕材料として最近注目を集めているダイヤモンド半導体を紹介する。マイクロ磁気エレクトロニクスの展開も重視すべきであり, 巨大磁気抵抗材料やスピントランジスタについても触れている.
- 1998-03-25
著者
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小林 猛
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
小林 猛
大阪大 大学院基礎工学研究科
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小林 猛
阪大基礎工
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
立木 実
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部
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