高誘電性エピタクシャルSrTiO_3薄膜の作製と電気特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
高分極特性を示すSrTiO_3をrfマグネトロンスパッタにより(111)Pt, (100)MgO基板上にエピタクシャル成長させた。現在のところ、そのSrTiO_3薄膜は厚さ110nmのものにたいし、室温370ε_0という非常に高い誘電率を示している。そして高電界域においては分極量が概ね10^14>(cm^-2>)に達し、超伝導MISFETのInsulatorや、Si256Mbits DRAM等への応用に向けての大きなステップを得ることができた。さらにCr/STO/Pt構造を用いたI-VおよびC-V特性の測定により、SrTiO_3薄膜のバンドダイアグラムが検討され、その結果空間電荷を含まないバンドモデルの妥当性が結論付けられた。これはSrTiO_3の誘電特性を理解、応用する為に有用するのみならず、超伝導電界効果の解釈にたいへん有意義なものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-20
著者
-
小林 猛
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
小林 猛
大阪大 大学院基礎工学研究科
-
小林 猛
阪大基礎工
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
巖淵 守
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
巖淵 守
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
芦田 毅
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部
関連論文
- Y-Ba-Cu-O系超伝導体と電気光学結晶との反応性(セラミック材料小特集号)
- 負バイアス印加PLD法による(La, Sr)MnO_3薄膜の粒径制御
- ステップエッジ(100) GaAs 基板上に成長させた(La,Sr)MnO_3ティルティド・ナノコラム・バウンダリの磁気抵抗効果
- 3. アブレーションプラズマ生成・制御1(レーザー) (アブレーションプラズマのプロセス応用)
- 次世代エレクトロニクスデバイスのブレークスルーは何か?
- ダイヤモンド薄膜表面のカソードルミネッセンスによる評価
- ダイヤモンド薄膜表面のカソードルミネッセンスによる評価
- XeアシストMPCVDを用いたダイヤモンド薄膜成長
- ダイヤモンド薄膜 - ここまできた薄膜成長と応用素子 -
- 磁気シールドレスOpen-SQUID心臓磁界計測システムの開発
- バイアス印加ECRプラズマ酸化法による超伝導薄膜の処理技術 (酸化物超伝導体薄膜の作製法)
- 8p-N-1 半導体のCarrler-Wave:多速度理論
- 選択ド-プ・ヘテロ界面に沿う2次元プラズモンからの遠赤外発光
- 金属-半導体エピタキシャル積層構造の作製
- 高温超伝導エレクトロニクスの最近の動向
- 研究開発情報 酸化物半導体の新しい薄膜作製法
- YBa_2Cu_3O_x/SrTiO_3/La_xSr_TiO_3PIN接合素子の試作研究
- 遮蔽マスクを用いた高品位レーザーアブレーション成膜法(エクリプス法)
- エクリプス・エンジェルPLD法の提案とその特性 (超伝導エレクトロニクス/一般)
- 粒子拡散を利用する新しいレ-ザ-アブレ-ション薄膜形成(エクリブス法)
- レーザーアブレーション薄膜形成の新しい方式(エクリプス法)
- 高温超電導体を使った新しい電子デバイス
- Si基板上の前兆形強誘電体薄膜SrTiO_3の形成とMIFS構造の特性
- 高誘電性エピタクシャルSrTiO_3薄膜の作製と電気特性
- 電界効果形高温超伝導トランジスタの研究
- YBaCuO薄膜における電界効果
- 高温超伝導体の応用 (高温超伝導)
- 高温超伝導体のルミネッセンス評価
- 超伝導セラミックスEr_1Ba_2Cu_3O_yの酸素ストイキオメトリー
- 液体合金ターゲットを用いたZnドープGaN薄膜成長におけるPLDメカニズム
- 超伝導三端子素子
- Nb系トンネル形ジョセフソン接合特性におよぼすスパッタクリーニングの影響
- バイアス印加ECRプラズマ酸化法による超伝導薄膜の処理技術
- ECRマイクロ波プラズマ酸化による表面改質 (酸化物高温超伝導体の作製(技術ノ-ト))
- 非希土類系酸化物高温超伝導体への異種元素添加効果
- 高温超伝導マルチヘテロエピタキシャル成長
- 常温超伝導をめぐる動き
- 高温超伝導膜の作製とエレクトロニクスへの応用
- 4a-C-3 非平衡超伝導体の新しい現象論的記述とその微視的考察
- 高温超伝導バルクおよび薄膜からのカソードルミネッセンス