高誘電性エピタクシャルSrTiO_3薄膜の作製と電気特性
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概要
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高分極特性を示すSrTiO_3をrfマグネトロンスパッタにより(111)Pt, (100)MgO基板上にエピタクシャル成長させた。現在のところ、そのSrTiO_3薄膜は厚さ110nmのものにたいし、室温370ε_0という非常に高い誘電率を示している。そして高電界域においては分極量が概ね10^14>(cm^-2>)に達し、超伝導MISFETのInsulatorや、Si256Mbits DRAM等への応用に向けての大きなステップを得ることができた。さらにCr/STO/Pt構造を用いたI-VおよびC-V特性の測定により、SrTiO_3薄膜のバンドダイアグラムが検討され、その結果空間電荷を含まないバンドモデルの妥当性が結論付けられた。これはSrTiO_3の誘電特性を理解、応用する為に有用するのみならず、超伝導電界効果の解釈にたいへん有意義なものである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-10-20
著者
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小林 猛
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
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小林 猛
大阪大 大学院基礎工学研究科
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小林 猛
阪大基礎工
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小林 猛
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
巖淵 守
大阪大学大学院基礎工学研究科
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巖淵 守
大阪大学基礎工学部電気工学科
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芦田 毅
大阪大学基礎工学部電気工学科
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小林 猛
大阪大学基礎工学部
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