電界効果形高温超伝導トランジスタの研究
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概要
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酸化物高温超伝導体の低キャリヤ密度を効果的に使うことにより超伝導体にMIS電界効果が生じることを実証した.この原理に基づき超伝導電界効果トランジスタが産声を上げた.実験素子には選択ヘテロエピタキシャル成長したAu/(100)SrTiO_3/(001)YBaCuO構造のMISダイオードおよびMISFETを準備した.正負のゲート電界印加に対してドレーン電流は減少・増大を示した.超伝導臨界温度以下に冷却したときには超伝導臨界電流,磁束流抵抗共にゲート電界により変調された.高温超伝導体を縮退半導体ハンドモデルで近似的に記述し,Bardeen-Stephenの磁束流抵抗ならばにflux-creepの概念を導入することにより,超伝導MISFETの動作機構を説明することができた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-06-25
著者
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小林 猛
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
小林 猛
大阪大 大学院基礎工学研究科
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小林 猛
阪大基礎工
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小林 猛
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部
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