Si基板上の前兆形強誘電体薄膜SrTiO_3の形成とMIFS構造の特性
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概要
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SrTiO_3(STO)薄膜を成膜温度350-710℃で、(111)Pt, (100)MgO基板上に成膜し、その結晶性をFTIRやC-V特性を用いて評価を行った。STO薄膜をSi基板上に成膜したMIFS構造の界面をSIMSを用いて調べたところ、界面拡散層の存在が認められた。その界面拡散層の誘電特性への影響を取り除くために、STO薄膜上にSiチップを機械的に接触させたMgO/Pt/STO/Si MIFS構造を作製した。Cr/STO/Pt MIFM構造でのSTO薄膜の誘電特性の解析結果を利用して、得られたC-V測定結果にシミュレーションを行い、その際の変調キャリア密度が-8Vかけた際に3.5×10^13>/cm^2に達した。その値はゲート絶縁膜にSiO_2を用いた場合の約50倍に達した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10
著者
-
小林 猛
大阪大学大学院基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
小林 猛
大阪大 大学院基礎工学研究科
-
小林 猛
阪大基礎工
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部電気工学科
-
多賀 正寛
大阪大学大学院
-
小林 猛
大阪大学基礎工学部
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