8p-B-9 Formation of ErP islands on InP(001)surface by OMVPE

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1997-09-16

著者

• 中村 新男

  名大理工総研

• 竹田 美和

  名大工

• 藤原 康文

  名大工

• BOLOTOV L.

  名大理工総研

• L Bolotov

  名大理工総研

• 土屋 順司

  名大工

関連論文

• 6a-YF-6 La_Sr_xCoO_4のNMR
• 23aHW-6 ミュオニウムスピン交換法による半導体(Si,GaAs)中の伝導電子スピン偏極測定(23aHW 半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域9(表面・界面,結晶成長))
• スパッタリング併用有機金属気相エピタキシャル法によるEu添加ZnOの作製とその発光特性
• GaNを利用した赤色発光ダイオード--世界初Eu添加GaNによる赤色LED (特集 紫外-可視-赤外 最新半導体光源の可能性)
• 20aGH-5 MBE法によるNdFeAs(O,F)超伝導薄膜の成長と物性評価(20aGH FeAs系超伝導(輸送特性など),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 22pGL-1 スピン偏極電子ビームによる表面磁区構造変化の動画像観察(22pGL 領域3,領域9合同 表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
• Eu添加GaN赤色発光ダイオードの有機金属気相エピタキシャル成長と発光特性
• TBP、TBAsを用いたOMVPE成長III-V族化合物半導体の特性に及ぼす水素流量の効果
• 第51回応用物理学関係連合講演会(2004年)
• 19aRE-15 スピン・クロスオーバー錯体の光誘起相転移
• Advanced Characterization of Crystals and Defects(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of J
• Advanced Characterization of Crystals and Defects(The 40th National Conference on Crystal Growth (NCCG-40) and the 16th International Conference on Crystal Growth (ICCG-16)/the 14th International Conference on Vapor Growth and Epitaxy (ICVGE-14),News of J
• 23aN-9 ポリジアセチレンDCHD微結晶の励起子緩和ダイナミクス II
• 26pYB-10 ポリジアセチレンDCHD微結晶の励起子緩和ダイナミクス
• 3a-Z-5 RbIの2光子共鳴励起下における励起子の超高速自己捕獲過程II
• 減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)
• 希土類添加半導体の現状と将来展望
• 30p-X-7 ホモエピタキシャルInPの界面層
• 28a-YM-7 InP中の電子サイクロトロン共鳴と不純物吸収
• 31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島/GaP(001)構造の作製
• 有機金属気相成長法によるGaP/InAs島GaP(001)構造の作製
• 14aYC-1 希釈磁性半導体 GaAs : Er, O 及び Zn 共添加 GaAs : Er, O, Zn の X-band ESR 測定(磁性半導体, 領域 4)
• 7a-C-8 C_結晶の発光の圧力効果
• 31p-D-12 C_結晶の発光とそのダイナミクス
• 3a-G-12 ポーラスSiの可視発光
• 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
• 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
• 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
• 24pC-8 ESRによる酸素共添加InP:Erの電子状態の解析
• 28p-YN-7 ESRによるInP:Erの電子状態の解析
• 17pTJ-10 配向した単層カーボンナノチューブにおける共鳴ラマン散乱の偏光依存性
• 28p-J-8 C_60のフェムト秒過渡吸収分光と緩和ダイナミクスII
• Er をδドーピングした InP のX線 CTR 散乱法による界面構造解析
• 28aRH-8 LnFeAs(O,F)(Ln:ランタノイド)のLnサイト固溶効果(鉄系超伝導体7(圧力効果・構造など),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
• 17aYA-9 (Nd,Sm)_Sr_MnO_3の圧力効果
• 7a-J-9 CuBr_xCl_微結晶中励起子の光学非線形性II
• CuBr_xCl_微結晶中励起子の光学非線形性
• カーエレクトロニクス最前線材料からシステムまで
• 13a-PS-48 1ML InP _As_x超薄膜の組成依存性におけるIn-As結合長異常
• 半導体B (シリコン以外)
• フォトルミネッセンス法によるGaAs中の遷移金属の評価
• 2p-Z-3 CuBr微結晶の界面電荷による励起子閉じ込め効果
• 27pYA-12 X-band ESRによるGaAs:Er,Oの発光中心の解明III(磁性半導体)(領域4)
• 希土類添加III-V族半導体による電流注入型発光デバイス
• 21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
• InP/GaInAs/InPおよびGaAs/GaInP/GaAsヘテロ界面の原子レベル構造と成長条件依存性(電子部品・材料, 及び一般)
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• GaInP/GaAs/GaInPレーザの閾値電流密度のヘテロ界面成長シーケンス依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低温分子線エピタキシャル法によるEr添加GaAs/AlGaAs DH構造の作製と発光ダイオードに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 31p-PSB-29 RBS-channeling法を用いたδ-doped InPの構造解析
• 27p-Z-16 ガラス中CuBr微結晶のホールバーニングII
• 25pF-4 単層カーボンナノチューブの吸収スペクトルにおける励起子効果
• 23pWH-4 MBE法によるLnFeAs(O,F)超伝導薄膜(Ln=La,Nd)の成長と物性評価(23pWH 鉄砒素系超伝導(伝道・磁化・熱),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 7p-J-7 Agナノ結晶のフェムト秒非線型吸収 III
• 25aTA-4 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットのトンネルスペクトルにおける光照射効果
• 23pW-2 GaAs(001)面上InGaAs量子ドットの走査トンネル分光
• 25pY-7 走査トンネル分光を用いたInAs/GaAs量子ドットの量子閉じ込め効果の観測
• 26p-YR-9 InGaAs/InP多層量子井戸構造の断面STM観察
• 20pYA-7 MgB_2のMnにおける置換効果
• 28pYM-7 Sr_2 (Fe_Mn_z)MoO_6の結晶合成と磁気相図
• 28aYM-2 パイロクロア型Mo酸化物の構造パラメターと磁性
• 2p-N-4 層状及び立方マンガン酸化物の電子相図
• 5a-W-6 マンガン酸化物における軌道の役割
• 6a-YF-10 層状Mn酸化物La_Sr_Mn_2O_7の中性子散乱
• マンガン酸化物の電子・磁気相図
• 27pYG-14 表面修飾した金クラスターの電子緩和ダイナミクス
• 17pTJ-12 単層カーボンナノチューブの赤外フェムト秒ポンプ・プローブ分光II
• 28a-YP-15 ガラス中Cuナノ結晶の超高速電子緩和ダイナミクス II
• 27aYM-11 マンガン酸化物における電荷分離現象
• 22aSF-5 マンガン酸化物の相分離と絶縁体-金属転移
• 25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
• 25aC-8 InP上の選択成長InGaAs量子構造のカソードルミネセンス
• 化合物半導体の光検知サイクロトロン共鳴
• 26pYB-7 メロシアニン色素LB膜のJ会合体の励起子緩和ダイナミクスII
• 28a-ZG-3 メロシアニン色素LB膜のJ会合体の励起子緩和ダイナミクス
• 27aYB-3 MnF_2-CaF_2超格子のESR II
• 22aG-4 MnF_2-CaF_2超格子のESR
• 31a-S-6 InGaAsの遠赤外光検知サイクロトロン共鳴
• 18pTE-10 TbBaCo_2O_の金属絶縁体転移温度における構造変化
• 28pYG-9 マンガン酸化物膜の光誘起効果
• 27aWB-6 単層カーボンナノチューブの赤外フェムト秒ポンプ・プローブ分光
• 23aYF-9 単層カーボンナノチューブにおけるクーロン効果のチューブ径依存性
• 8p-B-9 Formation of ErP islands on InP(001)surface by OMVPE
• 31a-YG-6 ガラス中Cuナノ結晶の超高速電子緩和ダイナミクス
• 31a-YG-5 Agナノ結晶のフェムト秒における電子・表面プラズモンダイナミクス
• 25pYH-3 CuCl量子ドットの励起子位相緩和における非マルコフ的振舞い
• 23aRA-10 Room-Temperature photo-switching in manganites film
• 24pYA-2 BaFe_2(As,P)_2薄膜のテラヘルツ伝導度測定(24pYA 鉄硫素系2(122系),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 17aYA-1 Tb_Ca_xMnO_3(x≧0.5)の磁気相図
• 27pYK-7 マグネタイトの高圧下構造解析(27pYK 電荷・軌道整列と関連物質II,領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 24pYE-11 SiO_2微粒子中に埋め込まれた金ナノ結晶の非線形光学応答(24pYE 新物質・高密度励起現象,領域5(光物性分野))
• 27pXP-5 Cd_1-xMn_xTe量子井戸-Feハイブリッド構造のカソードルミネセンス(27pXP 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
• 25pXW-11 電子ドープしたマンガン酸化物Ca_Tb_xMnO_3の比熱(25pXW Mn系(電荷ダイナミクス・熱物性),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pYK-3 Sr_2FeMoP_の酸素量と磁性との相関(26pYK ダブルペロブスカイト/電荷・軌導整列と関連物質I(Ti化合物),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 25aXW-12 Nd_Sr_xMnO_3の軌道整列と八面体の歪み(25aXW Mn系(薄膜・相制御・軌道電荷秩序),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 26pPSA-37 ZnMnSe/BeTeタイプII超格子の磁場下における発光(26pPSA,領域5(光物性分野))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク