フラッシュアニール法によるPt下地層上の六方晶フェライト薄膜の特性改善
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概要
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- 粉体粉末冶金協会の論文
- 2004-03-15
著者
-
中川 茂樹
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
中川 茂樹
東京工業大学
-
水野 啓介
東京工業大学
-
松野 圭介
東京工業大学大学院 理工学研究科 電子物理工学専攻
-
松野 圭介
東京工業大学
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