高速化量子分子動力学法による塩素プラズマエッチング過程の解析
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概要
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プラズマエッチングプロセスは半導体デバイスの微細加工に不可欠な技術であるが、プラズマ内で生成するイオン、ラジカルと基板表面との相互作用は複雑で、その計測も困難であることなどから、コンピュータシミュレーションによる解析が期待されている。本研究では、塩素プラズマとシリコン表面の衝突過程を、当研究室で開発した高速化量子分子動力学法を用いて解析した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-09
著者
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
高見 誠一
東北大学大学院工学研究科
-
篠田 克己
東北大学大学院工学研究科
-
横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
-
今村 詮
広島国際学院大学工学部
-
今村 詮
広島国際学院大学
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
黒川 仁
東北大学大学院工学研究科材料化学専攻
-
黒川 仁
東北大学大学院工学研究科
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