シリコンウェハ汚染に関する計算化学的検討
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概要
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半導体の高集積化に伴い、半導体内部のデザインルールも細くなっており、従来からの歩留まり低下の原因とされている粒子汚染物質に加え、ガス状物質による汚染(ケミカルコンダミネーション)が問題となっている。このような有機汚染物質としてはDBP(フタル酸ジブチル)、DOP(フタル酸ジオクチル)、低分子シロキサン等が挙げられる。これらの物質は気体中濃度が低いにもかかわらず、シリコンウェハに優先的に吸着する。本研究では、これらの有機汚染物質の吸着挙動についても様々な基板条件を用いて解析した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-09
著者
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科附属エネルギー安全科学国際研究センター
-
宮本 明
東北大学大学院 工学研究科
-
高見 誠一
東北大学大学院工学研究科
-
高塚 威
新日本空調(株)技術開発研究所
-
横須賀 俊之
東北大学大学院工学研究科
-
久保 百司
東北大学大学院工学研究科
-
瀬田 秀行
東北大学大学院工学研究科 材料化学専攻 宮本研究室
-
高塚 威
新日本空調株式会社 技術開発研究所
-
高塚 威
新日本空調
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