減圧CVD法における薄膜成長速度の分子論的研究 : 2次元水平型反応炉
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概要
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The growth rate of thin films formed on the flat plate immersed in a uniform stream of silane and hydrogen is calculated by means of the test-particle Monte Carlo method. The silane is diluted in hydrogen. The diffusion theory is shown to be applicable up to the Knudsen number less than 0.01. The growth rate is proportional to exp (-cx), where c is a constant and x is the distance along the substrate. The constant c decreases with increasing flow velocity and decreasing pressure, deposition probability, and deposition efficiency.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1990-04-25
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