熱CVD法によるくさび型基板上でのシリコン薄膜の成長
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概要
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Flow and deposition in a low-pressure CVD reactor are analyzed by use of the Monte Carlo direct simulation method. The model reactor has a wedge-shaped substrate between two parallel walls. Not only the surface reaction but also the gas-phase reaction is partly taken into consideration, which results in a mixture of SiH_4, SiH_2, and H_2. The distribution of the film growth rate along the substrate is governed by the Knudsen number, the gas temperature, and the SiH_2 sticking coefficient. The effects of the last two are very large.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1991-10-25
著者
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