拡散炉におけるCVD薄膜成長速度の分子論的研究
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概要
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The growth rate of thin films on the circular wafers in a CVD diffusion reactor is estimated by means of the test-particle Monte Carlo method. The source gas (silane) is diluted in a carrier gas (hydrogen). The flow of the carrier is modelled in such a way that it is stagnant between the wafers and has a uniform velocity in the gap between the wafer edge and the reactor wall. The growth rate can be given by a simple formula.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1990-06-25
著者
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