CVD拡散炉内における希薄流のモンテカルロシミュレーション
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概要
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Flows of silane in a model of a low-pressure chemical-vapor-deposition (CVD) reactor are analyzed by simulating the molecular motion. The model is a circular pipe having an array of substrates. The pressure, which is constant between each two substrates, is seen to decrease stepwise in the downstream direction. The growth rate of silicon film is proportional to the pressure.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 1991-11-25
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