スパッタ法における膜成長速度の分子運動論的研究
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概要
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A new method for calculating the growth rate of thin films fabricated by the sputtering method is prespnted. By use of the method, the effects on the growth rate of the bckground pressure. target-substrate distance, and sputtered material are examined in the case in which the circular target and substrate are in the cylindrical vacuum chamber.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1990-04-25
著者
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