スパッタ法における孔付きターゲットによるコリメーション効果の数値解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A sputtering apparatus with a multiholed target, which has a large number of small holes on its surface, is proposed for the improvement of step coverage in a contact hole. The step coverage depends on the depth h of the hole drilled in the target and the deposition probability P_C on the side wall of the hole. The bottom wall coverage of the contact hole is improved considerably by the use of the multiholed target. The optimum aspect ratio is h/d=1.0〜1.5, where d is the diameter of the hole.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 1995-09-25
著者
関連論文
- ターゲットの***ージョン分布を考慮したスパッタ膜の成長速度解析
- 電離放射線のイオン流体移送型計測に関する技術開発
- CVD拡散炉内における希薄流のモンテカルロシミュレーション
- α線により電離したイオンの流れに関する研究(J11-2 量子・分子熱流体工学(2),J11 量子・分子熱流体工学)
- スパッタ用コリメータの性能解析
- 1439 Particle Simulation of Sprite Discharge in Upper Atmosphere
- P349 数値計算によるスプライトの生成過程と中層大気化学への影響の解明
- 両端開放の管内を落下する物体の電磁加速
- スパッタ法における***ージョン速度分布と成膜速度分布の相関
- プロセスプラズマにおける粒子モデルシミュレーション
- 920 CF_4誘導結合プラズマとラジカル流れの粒子モデル解析(J14-2 量子・分子熱流体工学(2),J14 量子・分子熱流体工学,2005年度年次大会)
- 誘導結合プラズマのPIC/MC法による解析(J11-2 量子・分子熱流体工学(2),J11 量子・分子熱流体工学)
- 1162 マルチポール磁場による電子捕捉
- 108 マルチポール磁場による電子捕捉
- 高周波塩素プラズマによるシリコンのエッチング (「スーパーコンピューティングと計算流体科学」SCFS '98)
- 半導体プロセスにおける気流の効果 (特集:放電を利用する立場から見た気流の効果)
- モンテカルロ法によるイオン化スパッタシミュレーション : 第2報,ウエハ表面におけるCu原子・イオンの挙動の考慮(流体工学,流体機械)
- モンテカルロ法によるイオン化スパッタシミュレーション : 第1報,Cu埋め込み形状の再現(流体工学,流体機械)
- 果てなき海へ漕ぎいでて
- K05 私の歩んだ流体工学40年
- 気流中のナノ粒子の運動(J11-3 量子・分子熱流体工学(3),J11 量子・分子熱流体工学)
- 109 磁気ミラーにおける電子損失
- F107 直流放電場に対する高周波基板バイアスの影響(オーガナイズドセッション8 : 量子・分子モデルの熱流体工学への応用)
- F106 プラズマ反応器内の希薄流(オーガナイズドセッション8 : 量子・分子モデルの熱流体工学への応用)
- 113 球面電極間のVHF容量結合プラズマ(O.S.1-3 プラズマ(2))(O.S.1 電子・イオン・分子の流れ)
- 112 表面波励起プラズマの粒子モデル解析(O.S.1-3 プラズマ(2))(O.S.1 電子・イオン・分子の流れ)
- 111 二周波励起容量結合プラズマにおける基板入射イオンの速度分布関数(O.S.1-3 プラズマ(2))(O.S.1 電子・イオン・分子の流れ)
- 109 誘導結合CF_4プラズマにおけるラジガル生成(O.S.1-2 プラズマ(1))(O.S.1 電子・イオン・分子の流れ)
- K-1711 表面波励起によるガラス管内プラズマの生成(J08-3 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ(3))(J08 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ)
- K-1710 非対称容量結合プラズマの特性(J08-3 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ(3))(J08 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ)
- K-1709 誘導結合CF_4プラズマの粒子モデル解析(J08-3 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ(3))(J08 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ)
- K05 流体工学の新展開 : 半導体製造プロセスにおけるプラズマとガス流れ(流体工学部門企画)
- 軸対称放電プラズマの粒子法による構造解析
- プラズマ中の累積微小角散乱に関する理論
- 5. 流体工学 5.2 低密度気体流 (機械工学年鑑 "JSME Year Book")
- 真空中での薄膜製造プロセスのシミュレーション
- 分子動力学法による真空下での蒸発の研究
- コリメーションスパッタ法における膜成長及びカバレジの数値解析
- 4035 プラズマ反応器内希薄流解析ソフトウェア(F-4 フォーラム「産業用プラズマのモデリング」)
- 4032 粒子モデルによるプラズマ解析(F-4 フォーラム「産業用プラズマのモデリング」)
- グリーン関数による軸対称高周波プラズマの数値解析法
- セルフスパッタリングの粒子モデル解析(流体工学I-3)
- マイクロプラズマの粒子モデリング(J11-2 量子・分子熱流体工学(2),J11 量子・分子熱流体工学)
- 電子エネルギー分布関数に及ぼすクーロン衝突の効果(J11-2 量子・分子熱流体工学(2),J11 量子・分子熱流体工学)
- 表面波励起プラズマの粒子モデル解析
- 誘導結合プラズマによるエッチングの基板バイアス効果
- プロセスプラズマのモンテカルロシミュレーション(モンテカルロシミュレーション)
- プロセスプラズマのモンテカルロシミュレーション
- 1441 Ar/HBr プラズマによるシリコンのエッチング特性
- 1440 球殻モデルによる非対称高周波放電のシース電圧分布予測
- C-312 表面反応を伴う炭素細線周りの超音速窒素原子流
- Ar/HBrプラズマによるシリコンのエッチング特性
- 平行平板間の狭い空間の自由分子流排気特性(流体工学,流体機械)
- 3.粒子モデルによるエッチング用プラズマのシミュレーション(プラズマエッチングのシミュレーション)
- 1.序論(プラズマエッチングのシミュレーション)
- スパッタ法によるステップカバレジの理論的研究
- 混合気体の自由噴流における速度スリップの解析
- ナノテクノロジーを支える粒子シミュレーション
- 熱CVD法によるくさび型基板上でのシリコン薄膜の成長
- 噴流の分子数束角分布に関する実験的研究
- ターボ分子ポンプねじ溝の排気性能
- 拡散炉におけるCVD薄膜成長速度の分子論的研究
- 減圧CVD法における薄膜成長速度の分子論的研究 : 2次元水平型反応炉
- スパッタ法における膜成長速度の分子運動論的研究
- 分子線束の角分布に関する研究 : 第2報,円筒形るつぼからの蒸発
- 垂直円板周りの極超音速希薄流
- 平行平板から成るクライオパネルの性能
- 長円入口ノズルの流量係数-続-
- 長円入口ノズルの流量係数
- 入口ノズルの流量係数
- 長円入口ノズルの流量係数
- 入口ノズルの流量係数
- ねじ溝付きターボ分子ポンプの排気量数値予測法
- 中間流・分子流のシミュレーション法 - 大面積微小ギャップの排気への応用 -
- スパッタ法における孔付きターゲットによるコリメーション効果の数値解析
- 分子線束の角分布に関する研究 : 第1報, 二次元るつぼからの蒸発
- AM06-20-010 共鳴電荷交換を考慮したイオン原子衝突モデリング(分子スケールの流れ(2),一般講演)
- AM05-06-007 高周波マグネトロン放電の自己バイアス : ターゲット電極への電子流入に対する磁場の影響(分子スケールの流れ2,一般講演)
- K-1712 酸素/アルゴン系高周波マグネトロン放電におけるイオンの奇妙な振舞い(J08-3 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ(3))(J08 熱流体現象の原子・分子論的アプローチ)
- 2818 誘導結合塩素プラズマ中の電子エネルギー分布
- 2817 誘導結合アルゴンプラズマ中の電子エネルギー分布
- X線レーザー源用超高密度プラズマの膨張 : (第2報, 周囲プラズマによる急冷)
- X線レーザー源用超高密度プラズマの膨張:第1報, クーロン衝突の影響
- 誘導結合プラズマ中の電子エネルギー分布
- 23pB23p OFIプラズマの冷却のPICシミュレーション(慣性核融合/加熱)
- プラズマにおけるクーロン衝突の理論への「重み」概念の導入
- 107 塩素プラズマによるシリコンエッチングの基板バイアス効果(O.S.1-2 プラズマ(1))(O.S.1 電子・イオン・分子の流れ)
- 1206 誘導結合プラズマリアクター内のプラズマパラメータ測定
- モンテカルロ直接法の三次元任意形状問題への適用
- 108 誘導結合プラズマにおける電子の熱運動効果の粒子モデル解析(O.S.1-2 プラズマ(1))(O.S.1 電子・イオン・分子の流れ)
- A001 ボルツマン方程式およびランダウ・フォッカー・プランク方程式に基づく気体とプラズマにおける粒子間衝突論
- ボルツマン方程式およびランダウ・フォッカー・プランク方程式に基づく気体とプラズマにおける粒子間衝突論
- 酸素-アルゴン系の軸対称マグネトロンプラズマの研究
- 26aB10 軸対称高周波マグネトロン放電のPIC/MC法による解析(ヘリカル/プラズマ応用)
- プロセスプラズマとガス流れの粒子シュミレーション -プラズマ反応器の計算機支援設計をめざして-
- 材料プロセシングにおけるプラズマと希薄流 (マイクロスケールの流体・熱流動現象)
- ボルツマン方程式の確率解法2