F107 直流放電場に対する高周波基板バイアスの影響(オーガナイズドセッション8 : 量子・分子モデルの熱流体工学への応用)
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概要
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The substrate biasing is a standard technique to control the energy of ions incident on a wafer. The effect of substrate biasing on dc discharge field is examined using the exact solution of the Poisson equation. It is found that the effect of biasing is not limited to the region near the substrate but biasing influences the whole discharge field.
- 一般社団法人日本機械学会の論文
- 2001-11-03
著者
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