平面型トランジスタ,SGTを用いたスタンダードセルのパターン面積の比較検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
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概要
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SGT(Surrounding Gate Transistor),平面型トランジスタを用いて設計したスタンダードセル(インバータ,NAND等の簡単な論理回路,1ビットフルアダー等)のパターン面積の比較を,拡散層上のコンタクトとゲート間距離,ゲート膜厚に着目して行った.その結果,入力数が少なく,チャネル幅が大きく,コンタクトとゲート間距離が狭く,ゲート膜厚が薄いトランジスタで平面型に対するSGTのパターン面積の縮小効果が大きいことがわかった.
- 2011-08-18
著者
-
小玉 貴大
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学工学部情報工学科
-
渡辺 重佳
湘南工科大学大学院工学研究科
-
渡辺 重佳
情報工学科
-
小玉 貴大
湘南工科大学大学院工学研究科
-
小玉 貴大
湘南工科大学
-
渡辺 重佳
湘南工科大学
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