21113 稼働時のULSIにおいて多ビット配線まわりのlow-k材料に加わる熱応力の増大と危険性(配線技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
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概要
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Under the operation environment, the heat generation and the thermal stress of high performance integration circuits are considerably serious. Here, the thermal stress of low-k materials in the operating thermal environment is discussed from the point of view related to the parallel multi-bit interconnections. The maximum thermal stress of the low-k material for the multi-bit line is about four times that of the single line.
- 2009-03-05
著者
-
中村 正信
山梨大学工学部
-
中村 正信
山梨大学
-
鈴木 雅文
山梨大学
-
近藤 英一
山梨大学 大学院医学工学総合研究部
-
加藤 初弘
山梨大学大学院医学工学総合研究部
-
近藤 英一
山梨大学大学院医学工学総合研究部情報システム工学系(機械情報システム専攻)
-
加藤 初弘
山梨大学
-
中村 正信
山梨大学大学院医学工学総合研究部機械システム工学専攻
-
近藤 英一
山梨大学
-
近藤 英一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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