熱フィラメント水素ラジカル源を用いたCu表面処理(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)

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概要

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微細化がナノレベルまで進行したことに伴い,プラズマなどの高エネルギー・荷電粒子を利用したプロセスに代わる新しい手法が必要となっている。熱フィラメントは古くから知られているラジカル生成源であり,分子線エピタキシーや化学蒸着に用いられてきた。近年,前記した問題を回避する手段として,熱フィラメント法の半導体プロセスへの応用が着目されているが,集積回路バックエンドプロセスへの応用はまだ研究例が少ない。本研究は,熱フィラメントで生成した水素ラジカルをCu表面のクリーニングに適用することを意図したものである。モデルケースとしてスパッタCuO薄膜ないし熱酸化CuをCuに還元することを試みた。数十秒程度の極めて短時間の処理で数十nm程度の還元を行うことができた。還元温度は百数十度程度であり,H_2で熱還元するよりもはるかに低温化が可能であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2006-01-30

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