近藤 英一 | 山梨大学大学院医学工学総合研究部情報システム工学系(機械情報システム専攻)
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概要
関連著者
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近藤 英一
山梨大学大学院医学工学総合研究部情報システム工学系(機械情報システム専攻)
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近藤 英一
山梨大学 大学院医学工学総合研究部
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近藤 英一
山梨大学
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近藤 英一
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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近藤 英一
山梨大学大学院
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松原 正弘
山梨大学 大学院医学工学総合教育部
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近藤 英一
山梨大
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加藤 初弘
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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加藤 初弘
山梨大学
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松村 道雄
大阪大学有機光工学研究センター
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中村 正信
山梨大学工学部
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中村 正信
山梨大学
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鈴木 雅文
山梨大学
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松原 正弘
山梨大学大学院
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秋津 哲也
山梨大学大学院医学工学総合研究部
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松村 道雄
大阪大
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玉井 架
山梨大
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李 佳龍
大阪大
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秋津 哲也
山梨大学大学院
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廣瀬 みちる
山梨大学
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有賀 庄作
山梨大学
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堀内 愛
山梨大学
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深澤 真也
山梨大学大学院情報工学システム系
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小堀 孝哉
山梨大学大学院
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菱川 正毅
山梨大学工学部
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志鎌 耕一郎
山梨大学大学院
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松原 正弘
山梨大院
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近藤 英一
山梨大学大学院情報工学システム系
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中村 正信
山梨大学大学院医学工学総合研究部機械システム工学専攻
著作論文
- 超臨界流体を用いたCu薄膜の作製と半導体素子の配線・実装応用
- 超臨界流体を用いた多孔質低誘電率薄膜プロセス : 細孔の評価と洗浄
- 21114 Siナノホールの作製と超臨界CO_2によるCu埋め込み(配線技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 21113 稼働時のULSIにおいて多ビット配線まわりのlow-k材料に加わる熱応力の増大と危険性(配線技術,OS.3 機械工学が支援する微細加工技術(半導体,MEMS,NEMS))
- 21704 超臨界流体による次世代製膜・埋め込み技術 : 「全流体式」フロー超臨界薄膜堆積装置の製作(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 704 超臨界温泉の研究 : 超臨界水中への鉱物融解可能性の基礎検討(計測・制御)
- 熱フィラメント水素ラジカル源を用いたCu表面処理(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 超臨界CO_2メタライゼーション : Ru堆積とCu/Ru/絶縁膜構造の実現
- 10GHzを超えるクロックのキャビティによる伝達方法とその特性
- 超臨界CO_2を用いた超微細加工
- 超臨界流体を利用した一貫メタライゼーションプロセスの可能性(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 多孔質低誘電率膜の微細構造
- 超臨界流体中での集積回路配線形成技術(WS.3 半導体産業に機械工学はどう貢献するか?)
- 超臨界流体を用いたCu薄膜堆積 : 成膜特性検討と貫通電極プロセスへの適用の試み
- 21407 フロー超臨界薄膜装置による薄膜の堆積特性と長時間成膜への適用(デバイス&配線技術2,OS.1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS),学術講演)