超臨界流体中での集積回路配線形成技術(WS.3 半導体産業に機械工学はどう貢献するか?)
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概要
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超集積回路内部のCu配線は数十nm程度にまで微細化している。Cu配線は,このような微細サイズの開口部内をまずCuの拡散防止膜(バリアメタル)で均一に被覆し,さらにCuを埋め込んで形成する。しかし,現在用いられている,物理気相蒸着法とメッキ法の組み合わせでは技術的に限界がある。そこで本研究では,気体でも液体でもない"超臨界流体"を薄膜堆積のための媒質として用いることを着想した。超臨界CO_2流体は、ナノレベル浸透性,溶媒能,ゼロ表面張力,環境調和性などを有した特異な流体である。本法では,有機金属原料を超臨界CO_2流体中で反応させ薄膜を堆積し,超被覆・埋め込みを実現する。数十nm超微細孔へのCu埋め込みに成功し,バリアメタル用金属のRuの均一被覆に成功した。
- 2004-03-03
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